Name: EPC2065
Brand: EPC
SKU: 917-EPC2065TR-ND
Price: 4.5756 EUR
Availability: OutOfStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

EPC2065
Número de produto da DigiKey	917-EPC2065TR-ND - Fita e carretel (TR) 917-EPC2065CT-ND - Fita cortada (CT) 917-EPC2065DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	EPC
Número de produto do fabricante	EPC2065
Descrição	GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 60A (Ta) Montagem em superfície Matriz
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	EPC2065 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	EPC
Séries	eGaN®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	GaNFET (nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	60A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	3,6mOhm a 25A, 5V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 7mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	12.2 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	+6V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1449 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	-
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	Matriz
Pacote / Invólucro	Matriz
Número base de produto	EPC20