EPC2619ENGRT EPC | Produtos semicondutores discretos

EPC2619ENGRT está obsoleto e não é mais fabricado.

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EPC

Em estoque: 13 048

Preço unitário : 3,96000 €

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

EPC2619ENGRT
Número de produto da DigiKey	917-EPC2619ENGRTTR-ND - Fita e carretel (TR) 917-EPC2619ENGRTCT-ND - Fita cortada (CT) 917-EPC2619ENGRTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	EPC
Número de produto do fabricante	EPC2619ENGRT
Descrição	TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 29A (Ta) Montagem em superfície Matriz
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	EPC
Séries	eGaN®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	GaNFET (nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	29A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	3,3mOhm a 16A, 5V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 5,5mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	8.3 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	+6V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1180 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	-
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	Matriz
Pacote / Invólucro	Matriz