Name: FDN352AP
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FDN352AP-ND
Price: 0.2231 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

FDN352AP
Número de produto da DigiKey	2156-FDN352AP-ND
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Número de produto do fabricante	FDN352AP
Descrição	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 1,3A (Ta) 500mW (Ta) Montagem em superfície SOT-23-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Séries	PowerTrench®
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	1,3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	180mOhm a 1,3A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	1.9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	150 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-23-3
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número base de produto	FDN352