Name: FDS8878
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FDS8878-ND
Price: 0.33996 EUR
Availability: InStock

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FDS8878
Número de produto da DigiKey	2156-FDS8878-ND
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Número de produto do fabricante	FDS8878
Descrição	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 10,2A (Ta) 2,5W (Ta) Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Séries	PowerTrench®
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	10,2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	14mOhm a 10,2A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	897 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOIC
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)