Name: GE12160CEA3
Brand: GE Aerospace
SKU: 4014-GE12160CEA3-ND
Price: 9347.631 EUR
Availability: InStock

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GE12160CEA3
Número de produto da DigiKey	4014-GE12160CEA3-ND
Fabricante	GE Aerospace
Número de produto do fabricante	GE12160CEA3
Descrição	MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 1,425kA (Tc) 3,75kW Montagem em chassis Módulo
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	GE Aerospace
Séries	SiC Power
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tecnologia	Carboneto de silício (SiC)
Configuração	2 canais N (meia ponte)
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	1,425kA (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,5mOhm a 475A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 480mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	3744nC a 18V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	90000pF a 600V
Potência - Máx.	3,75kW
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em chassis
Pacote / Invólucro	Módulo
Invólucro do dispositivo fornecido	Módulo
Número base de produto	GE12160