Name: GD10MPS12E
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-GD10MPS12ETR-ND
Price: 3.8007 EUR
Availability: InStock

Preciso de ajuda?

Comentários

Sobre a DigiKey Marketplace Venda na DigiKey.com Carreiras Mapa do site Soluções digitais Sala de imprensa

Ajuda e suporte Situação do pedido Opções/taxas de frete Devoluções e problemas de pedido

(+351) 22 06 08 025 eu.support@digikey.com

GD10MPS12E
Número de produto da DigiKey	1242-GD10MPS12ETR-ND - Fita e carretel (TR) 1242-GD10MPS12ECT-ND - Fita cortada (CT) 1242-GD10MPS12EDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Número de produto do fabricante	GD10MPS12E
Descrição	DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Tempo de espera previsto do fabricante	14 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Diodo 1200 V 29A Montagem em superfície TO-252-2
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Diodos Retificadores Diodos individuais
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Séries	SiC Schottky MPS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensão - Reversa CC (Vr) (máx.)	1200 V
Corrente - Média retificada (Io)	29A
Tensão - Direta (Vf) (máx.) para If	1.8 V @ 10 A
Velocidade	Sem tempo de recuperação> 500mA (Io)
Tempo de recuperação reversa (trr)	0 ns
Corrente - Fuga reversa para Vr	5 µA @ 1200 V
Capacitância para Vr, F	367pF a 1V, 1MHz
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252-2
Temperatura de operação - Junção	-55°C a 175°C

Preço unitário sem VAT:	3,09000 €
Preço unitário com VAT:	3,80070 €

GD10MPS12E