Name: GE04MPS06E-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-GE04MPS06E-TR-ND
Price: 2.1402 EUR
Availability: InStock

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GE04MPS06E-TR
Número de produto da DigiKey	1242-GE04MPS06E-TR-ND - Fita e carretel (TR) 1242-GE04MPS06E-TRCT-ND - Fita cortada (CT) 1242-GE04MPS06E-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Número de produto do fabricante	GE04MPS06E-TR
Descrição	DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Diodo 650 V 12A Montagem em superfície TO-252-2
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Diodos Retificadores Diodos individuais
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Séries	MPS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensão - Reversa CC (Vr) (máx.)	650 V
Corrente - Média retificada (Io)	12A
Tensão - Direta (Vf) (máx.) para If	1.35 V @ 4 A
Velocidade	Sem tempo de recuperação> 500mA (Io)
Tempo de recuperação reversa (trr)	0 ns
Corrente - Fuga reversa para Vr	5 µA @ 650 V
Capacitância para Vr, F	186pF a 1V, 1MHz
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252-2
Temperatura de operação - Junção	-55°C a 175°C

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