Name: G080P06M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G080P06MTR-ND
Price: 3.444 EUR
Availability: InStock

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G080P06M
Número de produto da DigiKey	3141-G080P06MTR-ND - Fita e carretel (TR) 3141-G080P06MCT-ND - Fita cortada (CT) 3141-G080P06MDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de produto do fabricante	G080P06M
Descrição	P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Tempo de espera previsto do fabricante	8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 195A (Tc) 294W (Tc) Montagem em superfície TO-263
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 7,5mOhm a 20A, 10V
Fabricante Goford Semiconductor	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA
Séries TrenchFET®	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 186 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 15870 pF @ 30 V
Tipo de FET Canal P	Dissipação de potência (máx.) 294W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 195A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-263
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB