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IRFR220

Número de produto da DigiKey
2156-IRFR220-ND
Fabricante
Harris Corporation
Número de produto do fabricante
IRFR220
Descrição
MOSFET N-CH 200V 4.6A TO252AA
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 200 V 4,6A (Tc) 50W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Harris Corporation
Séries
-
Embalagem
Granel
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
4,6A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
800mOhm a 2,4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
330 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-252AA
Pacote / Invólucro
TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
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