Name: AIMBG120R010M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND
Price: 39.0648 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

AIMBG120R010M1XTMA1
Número de produto da DigiKey	448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-AIMBG120R010M1XTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-AIMBG120R010M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	AIMBG120R010M1XTMA1
Descrição	SICFET N-CH 1200V 205A TO-263
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 205A (Tc) 882W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	AIMBG120R010M1XTMA1 Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 178 nC @ 20 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) +25V, -10V
Séries CoolSiC™	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5703 pF @ 800 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 882W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia SiCFET (carboneto de silício)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 1200 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 205A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-7
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 18V, 20V	Pacote / Invólucro TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Rds on (máx.) para Id, Vgs 11,3mOhm a 93A, 20V	Número base de produto AIMBG120
Vgs(th) (máx.) para Id 5,1V a 30mA