Name: AIMZHN120R010M1TXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMZHN120R010M1TXKSA1-ND
Price: 30.11763 EUR
Availability: OutOfStock

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AIMZH120R010M1TXKSA1

Infineon Technologies

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Ficha técnica

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AIMZHN120R010M1TXKSA1
Número de produto da DigiKey	448-AIMZHN120R010M1TXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	AIMZHN120R010M1TXKSA1
Descrição	SIC_DISCRETE
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 202A (Tc) 750W (Tc) Furo passante PG-TO247-4-14
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	202A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	18V, 20V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	11,3mOhm a 93A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id	5,1V a 30mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	178 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+23V, -5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5703 pF @ 800 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	750W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO247-4-14
Pacote / Invólucro	TO-247-4

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Quantidade	Preço unitário	Preço total
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