AUIRF7309QTR Infineon Technologies | Matrizes de FET, MOSFET

AUIRF7309QTR
Número de produto da DigiKey	AUIRF7309QTR-ND - Fita e carretel (TR) AUIRF7309QCT-ND - Fita cortada (CT)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	AUIRF7309QTR
Descrição	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 30V 4A, 3A 1,4W Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	AUIRF7309QTR Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT)
Part Status	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	Canal N e P
Característica FET	Porta de nível lógico
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4A, 3A
Rds on (máx.) para Id, Vgs	50mOhm a 2,4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	25nC a 4,5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	520pF a 15V
Potência - Máx.	1,4W
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOIC
Número base de produto	AUIRF7309

AUIRF7309QTR