Name: AUIRF7759L2TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AUIRF7759L2TR-ND
Price: 10.7502 EUR
Availability: InStock

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AUIRF7759L2TR
Número de produto da DigiKey	448-AUIRF7759L2TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-AUIRF7759L2TRCT-ND - Fita cortada (CT) 448-AUIRF7759L2TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	AUIRF7759L2TR
Descrição	MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 75 V 375A (Tc) 3,3W (Ta), 125W (Tc) Montagem em superfície L8 isométrico DirectFET™
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Última compra
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	75 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	375A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,3mOhm a 96A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	12222 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	L8 isométrico DirectFET™
Pacote / Invólucro	L8 isométrico DirectFET™
Número base de produto	AUIRF7759