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BSB012N03LX3G

Número de produto da DigiKey
2156-BSB012N03LX3G-ND
Fabricante
Infineon Technologies
Número de produto do fabricante
BSB012N03LX3G
Descrição
N-CHANNEL POWER MOSFET
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 30 V 39A (Ta), 180A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Montagem em superfície MG-WDSON-2, CanPAK M™
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Infineon Technologies
Séries
OptiMOS™
Embalagem
Granel
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
39A (Ta), 180A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
1,2mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
169 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
16900 pF @ 15 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
2,8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacote / Invólucro
3-WDSON
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