Name: BSC042NE7NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC042NE7NS3GATMA1TR-ND
Price: 3.5178 EUR
Availability: InStock

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BSC042NE7NS3GATMA1
Número de produto da DigiKey	BSC042NE7NS3GATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSC042NE7NS3GATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSC042NE7NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSC042NE7NS3GATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 75 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSC042NE7NS3GATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,8V a 91µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 69 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4800 pF @ 37.5 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 2,5W (Ta), 125W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 75 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TDSON-8-1
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 19A (Ta), 100A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto BSC042
Rds on (máx.) para Id, Vgs 4,2mOhm a 50A, 10V