BSC0704LSATMA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

BSC0704LSATMA1
Número de produto da DigiKey	448-BSC0704LSATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-BSC0704LSATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-BSC0704LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSC0704LSATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 60V 11A/47A TDSON
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 11A (Ta), 47A (Tc) 2,1W (Ta), 36W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-6
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSC0704LSATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	11A (Ta), 47A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	9,4mOhm a 24A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,3V a 14µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	9.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1300 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,1W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TDSON-8-6
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	BSC0704

BSC0704LSATMA1