Name: BSC077N12NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC077N12NS3GATMA1TR-ND
Price: 3.8991 EUR
Availability: InStock

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BSC077N12NS3GATMA1
Número de produto da DigiKey	BSC077N12NS3GATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSC077N12NS3GATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSC077N12NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSC077N12NS3GATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 120 V 13,4A (Ta), 98A (Tc) 139W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSC077N12NS3GATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 110µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 88 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5700 pF @ 60 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 139W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 120 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TDSON-8-1
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 13,4A (Ta), 98A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto BSC077
Rds on (máx.) para Id, Vgs 7,7mOhm a 50A, 10V