Name: BSP149H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP149H6327XTSA1TR-ND
Price: 1.6236 EUR
Availability: InStock

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BSP149H6327XTSA1
Número de produto da DigiKey	BSP149H6327XTSA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSP149H6327XTSA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSP149H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSP149H6327XTSA1
Descrição	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Tempo de espera previsto do fabricante	10 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N, modo de depleção 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Montagem em superfície PG-SOT223-4
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSP149H6327XTSA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	SIPMOS®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N, modo de depleção
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	660mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	0V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,8Ohm a 660mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 400µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	14 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	430 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,8W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-SOT223-4
Pacote / Invólucro	TO-261-4, TO-261AA
Número base de produto	BSP149