Name: BSS308PEH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS308PEH6327XTSA1TR-ND
Price: 0.5904 EUR
Availability: InStock

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BSS308PEH6327XTSA1
Número de produto da DigiKey	BSS308PEH6327XTSA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSS308PEH6327XTSA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSS308PEH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSS308PEH6327XTSA1
Descrição	MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Tempo de espera previsto do fabricante	28 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Montagem em superfície PG-SOT23
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSS308PEH6327XTSA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 5 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Séries OptiMOS™	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 500 pF @ 15 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 500mW (Ta)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tipo de FET Canal P	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 2A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-SOT23
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds on (máx.) para Id, Vgs 80mOhm a 2A, 10V	Número base de produto BSS308
Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 11µA

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