Name: BSZ16DN25NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND
Price: 2.7429 EUR
Availability: InStock

BSZ16DN25NS3GATMA1
Número de produto da DigiKey	BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSZ16DN25NS3GATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSZ16DN25NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSZ16DN25NS3GATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 250 V 10,9A (Tc) 62,5W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSZ16DN25NS3GATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	250 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	10,9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	165mOhm a 5,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 32µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	11.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	920 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	62,5W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TSDSON-8
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	BSZ16DN25

Preço unitário sem VAT:	2,23000 €
Preço unitário com VAT:	2,74290 €

BSZ16DN25NS3GATMA1