Name: BSZ180P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND
Price: 1.1808 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

BSZ180P03NS3EGATMA1
Número de produto da DigiKey	BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSZ180P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSZ180P03NS3EGATMA1
Descrição	MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 9A (Ta), 39,5A (Tc) 2,1W (Ta), 40W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSZ180P03NS3EGATMA1 Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,1V a 48µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 30 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±25V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2220 pF @ 15 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 2,1W (Ta), 40W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TSDSON-8
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 9A (Ta), 39,5A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Número base de produto BSZ180
Rds on (máx.) para Id, Vgs 18mOhm a 20A, 10V