Name: BSZ42DN25NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ42DN25NS3GATMA1TR-ND
Price: 2.3493 EUR
Availability: InStock

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BSZ42DN25NS3GATMA1
Número de produto da DigiKey	BSZ42DN25NS3GATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSZ42DN25NS3GATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSZ42DN25NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSZ42DN25NS3GATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 250 V 5A (Tc) 33,8W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8-2
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSZ42DN25NS3GATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 13µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 5.5 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 430 pF @ 100 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 33,8W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 250 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TSDSON-8-2
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 5A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto BSZ42DN25
Rds on (máx.) para Id, Vgs 425mOhm a 2,5A, 10V