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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 |
Descrição | LOW POWER EASY |
Tempo de espera previsto do fabricante | 8 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 65A Montagem em chassis |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | Infineon Technologies | |
Séries | ||
Embalagem | Bandeja | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | Carboneto de silício (SiC) | |
Configuração | 4 canais N | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 65A | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 16mOhm a 75A, 18V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5,15V a 30mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 223nC a 18V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 6600pF a 800V | |
Potência - Máx. | - | |
Temperatura de operação | -40°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Pacote / Invólucro | Módulo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | - | |
Número base de produto |
Em estoque: 26
Verifique se há estoque adicional de entrada
Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Bandeja
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 124,38000 € | 124,38 € |
| 18 | 110,09111 € | 1 981,64 € |
| Preço unitário sem VAT: | 124,38000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 152,98740 € |
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