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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 |
Descrição | MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B |
Tempo de espera previsto do fabricante | 8 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 85A (Tj) Montagem em chassis AG-EASY2B |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | Infineon Technologies | |
Séries | ||
Embalagem | Bandeja | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | Carboneto de silício (SiC) | |
Configuração | 2 canais N (meia ponte) | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 85A (Tj) | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 12mOhm a 100A, 18V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5,15V a 40mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 297nC a 18V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 8800pF a 800V | |
Potência - Máx. | - | |
Temperatura de operação | -40°C a 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Pacote / Invólucro | Módulo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | AG-EASY2B | |
Número base de produto |
Em estoque: 20
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Bandeja
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 100,45000 € | 100,45 € |
| 18 | 85,48389 € | 1 538,71 € |
| Preço unitário sem VAT: | 100,45000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 123,55350 € |
Portugal