
F413MXTR12C1M2QH11BPSA1 | |
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Número de produto da DigiKey | 448-F413MXTR12C1M2QH11BPSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | F413MXTR12C1M2QH11BPSA1 |
Descrição | F413MXTR12C1M2QH11BPSA1 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 12 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 60A (Tj) Montagem em chassis |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | Infineon Technologies | |
Séries | ||
Embalagem | Bandeja | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | Carboneto de silício (SiC) | |
Configuração | 4 canais N (ponte completa) | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 60A (Tj) | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 12,5mOhm a 50A, 18V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5,15V a 22mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 158nC a 18V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 4800pF a 800V | |
Potência - Máx. | - | |
Temperatura de operação | -40°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Pacote / Invólucro | Módulo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | - |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 114,00000 € | 114,00 € |
| 30 | 99,32567 € | 2 979,77 € |
| Preço unitário sem VAT: | 114,00000 € |
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| Preço unitário com VAT: | 140,22000 € |



