Name: FF150R12KE3GB2HOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF150R12KE3GB2HOSA1-ND
Price: 112.1637 EUR
Availability: InStock

Módulo IGBT Trench Field Stop Inversor meia ponte 1200 V 225 A 780 W Montagem em chassis Módulo

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

FF150R12KE3GB2HOSA1
Número de produto da DigiKey	448-FF150R12KE3GB2HOSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	FF150R12KE3GB2HOSA1
Descrição	IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD
Tempo de espera previsto do fabricante	21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Módulo IGBT Trench Field Stop Inversor meia ponte 1200 V 225 A 780 W Montagem em chassis Módulo
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT	Vce(on) (máx.) para Vge, Ic 2,15V a 15V, 150A
Fabricante Infineon Technologies	Corrente - Corte do coletor (máx.) 5 mA
Séries C	Capacitância de entrada (Cies) para Vce 11 nF @ 25 V
Embalagem Bandeja	Entrada Padrão
Part Status Ativo	Termistor NTC Não
Tipo de IGBT Trench Field Stop	Temperatura de operação -40°C a 125°C (TJ)
Configuração Inversor meia ponte	Tipo de montagem Montagem em chassis
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.) 1200 V	Pacote / Invólucro Módulo
Corrente - Coletor (Ic) (máx.) 225 A	Invólucro do dispositivo fornecido Módulo
Potência - Máx. 780 W	Número base de produto FF150R12K

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Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	91,19000 €	91,19 €
10	72,09700 €	720,97 €

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