Name: FF200R12KT3HOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF200R12KT3HOSA1-ND
Price: 123.5535 EUR
Availability: InStock

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FF200R12KT3HOSA1
Número de produto da DigiKey	448-FF200R12KT3HOSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	FF200R12KT3HOSA1
Descrição	IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE
Referência do cliente
Descrição detalhada	Módulo IGBT Trench Field Stop 2 independentes 1200 V 1050 W Montagem em chassis Módulo
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	C
Embalagem	Bandeja
Part Status	Não para novos designs
Tipo de IGBT	Trench Field Stop
Configuração	2 independentes
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.)	1200 V
Potência - Máx.	1050 W
Vce(on) (máx.) para Vge, Ic	2,15V a 15V, 200A
Corrente - Corte do coletor (máx.)	5 mA
Capacitância de entrada (Cies) para Vce	14 nF @ 25 V
Entrada	Padrão
Termistor NTC	Não
Temperatura de operação	-40°C a 125°C
Tipo de montagem	Montagem em chassis
Pacote / Invólucro	Módulo
Invólucro do dispositivo fornecido	Módulo
Número base de produto	FF200R12

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Quantidade

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Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	100,45000 €	100,45 €
10	85,48500 €	854,85 €

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