Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 190A (Tc) Montagem em chassis AG-62MMHB
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FF3MR12KM1HHPSA1

Número de produto da DigiKey
448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
FF3MR12KM1HHPSA1
Descrição
MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB
Tempo de espera previsto do fabricante
23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 190A (Tc) Montagem em chassis AG-62MMHB
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
FF3MR12KM1HHPSA1 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Infineon Technologies
Séries
Embalagem
Caixa
Part Status
Ativo
Tecnologia
Carboneto de silício (SiC)
Configuração
2 canais N (meia ponte)
Característica FET
-
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
190A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
4,44mOhm a 280A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
5,1V a 112mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
800nC a 18V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
24200pF a 800V
Potência - Máx.
-
Temperatura de operação
-40°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em chassis
Pacote / Invólucro
Módulo
Invólucro do dispositivo fornecido
AG-62MMHB
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