FS45MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies | Produtos semicondutores discretos

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

FS45MR12W1M1B11BOMA1
Número de produto da DigiKey	FS45MR12W1M1B11BOMA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	FS45MR12W1M1B11BOMA1
Descrição	MOSFET 6N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 25A (Tj) Montagem em chassis AG-EASY1BM-2
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolSiC™+
Embalagem	Bandeja
Part Status	Obsoleto
Tecnologia	Carboneto de silício (SiC)
Configuração	Canal 6 N (ponto trifásica)
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	25A (Tj)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	45mOhm a 25A, 15V (típ.)
Vgs(th) (máx.) para Id	5,55V a 10mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	62nC a 15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1840pF a 800V
Potência - Máx.	-
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em chassis
Pacote / Invólucro	Módulo
Invólucro do dispositivo fornecido	AG-EASY1BM-2
Número base de produto	FS45MR12

Perguntas e respostas sobre o produto

Veja o que os engenheiros estão perguntando, faça suas próprias perguntas ou ajude um membro da comunidade de engenharia da DigiKey

Em estoque: 82

Verifique se há estoque adicional de entrada

Este produto não é mais fabricado e não será mais estocado assim que o estoque acabar.

Quantidade

Todos os preços estão em EUR

Bandeja

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	118,99000 €	118,99 €
24	104,48625 €	2 507,67 €

Embalagem padrão do fabricante

Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.