Name: IAUA180N10S5N029AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUA180N10S5N029AUMA1TR-ND
Price: 4.4526 EUR
Availability: InStock

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IAUA180N10S5N029AUMA1
Número de produto da DigiKey	448-IAUA180N10S5N029AUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IAUA180N10S5N029AUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IAUA180N10S5N029AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IAUA180N10S5N029AUMA1
Descrição	MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 180A (Tj) 221W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-5-4
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IAUA180N10S5N029AUMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	180A (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,9mOhm a 90A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,8V a 130µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	7673 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	221W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HSOF-5-4
Pacote / Invólucro	5-PowerSFN