Name: IAUAN04S7N007AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUAN04S7N007AUMA1TR-ND
Price: 3.3702 EUR
Availability: InStock

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IAUAN04S7N007AUMA1
Número de produto da DigiKey	448-IAUAN04S7N007AUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IAUAN04S7N007AUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IAUAN04S7N007AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IAUAN04S7N007AUMA1
Descrição	IAUAN04S7N007AUMA1
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 50A (Ta), 330A (Tj) 149W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-5-2
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IAUAN04S7N007AUMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 7
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	50A (Ta), 330A (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	0,72mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 73µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	94 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	6460 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	149W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HSOF-5-2
Pacote / Invólucro	5-PowerSFN