Name: IAUC80N04S6N036ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC80N04S6N036ATMA1TR-ND
Price: 1.7835 EUR
Availability: InStock

Canal N 40 V 80A (Tc) 50W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8

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IAUC80N04S6N036ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IAUC80N04S6N036ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IAUC80N04S6N036ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IAUC80N04S6N036ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IAUC80N04S6N036ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 40V 80A 8TDFN
Tempo de espera previsto do fabricante	35 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 80A (Tc) 50W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IAUC80N04S6N036ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 22 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Séries OptiMOS™ 6	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1338 pF @ 25 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 50W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 80A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TDSON-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 3,68mOhm a 40A, 10V	Número base de produto IAUC80
Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 18µA