Name: IAUCN04S6N017TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S6N017TATMA1TR-ND
Price: 2.4969 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IAUCN04S6N017TATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IAUCN04S6N017TATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IAUCN04S6N017TATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IAUCN04S6N017TATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IAUCN04S6N017TATMA1
Descrição	MOSFET_(20V 40V)
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 58A (Ta), 120A (Tj) 103W (Tc) Montagem em superfície PG-LHDSO-10-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IAUCN04S6N017TATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 6
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	58A (Ta), 120A (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,73mOhm a 60A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 40µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3250 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	103W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-LHDSO-10-1
Pacote / Invólucro	10-LSOP (largura 0,216", 5,48mm) pad exposto