Name: IAUCN04S7L009ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S7L009ATMA1TR-ND
Price: 2.3247 EUR
Availability: InStock

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IAUCN04S7L009ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IAUCN04S7L009ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IAUCN04S7L009ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IAUCN04S7L009ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IAUCN04S7L009ATMA1
Descrição	MOSFET_(20V 40V)
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 275A (Tj) 129W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-34
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 7
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	275A (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	0,91mOhm a 88A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,8V a 60µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5704 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	129W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TDSON-8-34
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8