Name: IAUCN04S7L023HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S7L023HATMA1TR-ND
Price: 2.4108 EUR
Availability: InStock

Novo produto

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IAUCN04S7L023HATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IAUCN04S7L023HATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IAUCN04S7L023HATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IAUCN04S7L023HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IAUCN04S7L023HATMA1
Descrição	MOSFET_(20V 40V)
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 40V 100A (Tj) 75W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-56
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 7
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais N
Característica FET	Porta de nível lógico
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	100A (Tj)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2.34mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	1.8V @ 25µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	38nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2518pF @ 20V
Potência - Máx.	75W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TDSON-8-56

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