Name: IAUT200N08S5N023ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT200N08S5N023ATMA1TR-ND
Price: 5.2521 EUR
Availability: InStock

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IAUT200N08S5N023ATMA1
Número de produto da DigiKey	IAUT200N08S5N023ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IAUT200N08S5N023ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IAUT200N08S5N023ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IAUT200N08S5N023ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 200A (Tc) 200W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IAUT200N08S5N023ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 110 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Séries OptiMOS™ 5	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 7670 pF @ 40 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 200W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 200A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-HSOF-8-1
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Pacote / Invólucro 8-PowerSFN
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,3mOhm a 100A, 10V	Número base de produto IAUT200
Vgs(th) (máx.) para Id 3,8V a 130µA