Name: IAUTN06S5N008GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN06S5N008GATMA1TR-ND
Price: 8.8068 EUR
Availability: InStock

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IAUTN06S5N008GATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IAUTN06S5N008GATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IAUTN06S5N008GATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IAUTN06S5N008GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IAUTN06S5N008GATMA1
Descrição	MOSFET_)40V 60V)
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 59A (Ta), 350A (Tj) 358W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOG-8-1
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 275µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 273 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™ 5	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 20280 pF @ 30 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 358W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 59A (Ta), 350A (Tj)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-HSOG-8-1
Rds on (máx.) para Id, Vgs 0,78mOhm a 100A, 10V	Pacote / Invólucro 8-PowerSMD, asa de gaivota