Name: IAUTN08S5N012LATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN08S5N012LATMA1TR-ND
Price: 7.3185 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IAUTN08S5N012LATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IAUTN08S5N012LATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IAUTN08S5N012LATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IAUTN08S5N012LATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IAUTN08S5N012LATMA1
Descrição	MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 80V 300A (Tj) 375W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8-2
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IAUTN08S5N012LATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 5
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 Canal N, dreno comum, fonte comum
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	300A (Tj)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,15mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,3V a 275µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	24nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	15340pF a 40V
Potência - Máx.	375W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	8-PowerSFN
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HSOF-8-2