Name: IAUZ30N06S5L140ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ30N06S5L140ATMA1TR-ND
Price: 1.2792 EUR
Availability: InStock

Canal N 60 V 30A (Tj) 33W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8-32

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IAUZ30N06S5L140ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IAUZ30N06S5L140ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IAUZ30N06S5L140ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IAUZ30N06S5L140ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IAUZ30N06S5L140ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 60V 30A TSDSON-8-32
Tempo de espera previsto do fabricante	35 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 30A (Tj) 33W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8-32
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IAUZ30N06S5L140ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 12.2 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±16V
Séries OptiMOS™	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 888 pF @ 30 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 33W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 30A (Tj)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TSDSON-8-32
Rds on (máx.) para Id, Vgs 14mOhm a 15A, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Vgs(th) (máx.) para Id 2,2V a 10µA	Número base de produto IAUZ30