Name: IAUZ30N10S5L240ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ30N10S5L240ATMA1TR-ND
Price: 1.5006 EUR
Availability: InStock

Canal N 100 V 30A (Tc) 45,5W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8-32

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IAUZ30N10S5L240ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IAUZ30N10S5L240ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IAUZ30N10S5L240ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IAUZ30N10S5L240ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IAUZ30N10S5L240ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Tempo de espera previsto do fabricante	35 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 30A (Tc) 45,5W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8-32
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IAUZ30N10S5L240ATMA1 Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 14 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Séries OptiMOS™ 5	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 832 pF @ 50 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 45,5W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 30A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TSDSON-8-32
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 24mOhm a 15A, 10V	Número base de produto IAUZ30
Vgs(th) (máx.) para Id 2,2V a 15µA