Name: IAUZN10S7N078ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZN10S7N078ATMA1TR-ND
Price: 2.4108 EUR
Availability: InStock

Novo produto

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IAUZN10S7N078ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IAUZN10S7N078ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IAUZN10S7N078ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IAUZN10S7N078ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IAUZN10S7N078ATMA1
Descrição	MOSFET_(75V 120V(
Tempo de espera previsto do fabricante	35 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 76A (Tj) 94W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8-39
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IAUZN10S7N078ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,2V a 33µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 28.9 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™ 7	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1839 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 94W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 76A (Tj)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TSDSON-8-39
Rds on (máx.) para Id, Vgs 7,8mOhm a 30A, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8