Name: IGLD65R080D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND
Price: 6.3591 EUR
Availability: InStock

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IGLD65R080D2AUMA1
Número de produto da DigiKey	448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IGLD65R080D2AUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IGLD65R080D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IGLD65R080D2AUMA1
Descrição	GANFET N-CH 650V 18A 8LDFN
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 18A (Tc) 68W (Tc) Montagem em superfície PG-LSON-8-2
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IGLD65R080D2AUMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 1,6V a 1,8mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 3.3 nC @ 3 V
Séries CoolGaN™ G5	Vgs (máx.) -10V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 240 pF @ 400 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 68W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia GaNFET (nitreto de gálio)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-LSON-8-2
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 18A (Tc)	Pacote / Invólucro 8-LDFN pad exposto
Rds on (máx.) para Id, Vgs 100mOhm a 5,5A