Name: IGLR65R200D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLR65R200D2XUMA1TR-ND
Price: 3.5055 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IGLR65R200D2XUMA1
Número de produto da DigiKey	448-IGLR65R200D2XUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IGLR65R200D2XUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IGLR65R200D2XUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IGLR65R200D2XUMA1
Descrição	GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 9,2A (Tc) 34W (Tc) Montagem em superfície PG-TSON-8-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IGLR65R200D2XUMA1 Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 1,6V a 710µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 1.26 nC @ 3 V
Séries CoolGaN™ G5	Vgs (máx.) -10V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 91 pF @ 400 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 34W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia GaNFET (nitreto de gálio)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TSON-8-8
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 9,2A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 240mOhm a 2,1A