IGT60R070D1ATMA4 Infineon Technologies | Produtos semicondutores discretos

IGT60R070D1ATMA4 está obsoleto e não é mais fabricado.

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Infineon Technologies

Em estoque: 440

Preço unitário : 5,78000 €

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IGT60R070D1ATMA4
Número de produto da DigiKey	448-IGT60R070D1ATMA4TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IGT60R070D1ATMA4CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IGT60R070D1ATMA4DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IGT60R070D1ATMA4
Descrição	GANFET N-CH
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolGaN™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	GaNFET (nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	31A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds on (máx.) para Id, Vgs	-
Vgs(th) (máx.) para Id	1,6V a 2,6mA
Vgs (máx.)	-10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	380 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	125W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HSOF-8-3
Pacote / Invólucro	8-PowerSFN