Name: IGT65R035D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R035D2ATMA1TR-ND
Price: 10.6272 EUR
Availability: InStock

Novo produto

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IGT65R035D2ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IGT65R035D2ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IGT65R035D2ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IGT65R035D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IGT65R035D2ATMA1
Descrição	HV GAN DISCRETES
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 49A (Tc) 167W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IGT65R035D2ATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolGaN™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	GaNFET (nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	49A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds on (máx.) para Id, Vgs	-
Vgs(th) (máx.) para Id	1,6V a 4,2mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	7.7 nC @ 3 V
Vgs (máx.)	-10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	540 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	167W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HSOF-8
Pacote / Invólucro	8-PowerSFN