Name: IMBF170R650M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND
Price: 6.396 EUR
Availability: InStock

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IMBF170R650M1XTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IMBF170R650M1XTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IMBF170R650M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IMBF170R650M1XTMA1
Descrição	SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Tempo de espera previsto do fabricante	49 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1700 V 7,4A (Tc) 88W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-13
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IMBF170R650M1XTMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 5,7V a 1,7mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 8 nC @ 12 V
Séries CoolSiC™	Vgs (máx.) +20V, -10V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 422 pF @ 1000 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 88W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carboneto de silício)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 1700 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-7-13
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 7,4A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 12V, 15V	Número base de produto IMBF170
Rds on (máx.) para Id, Vgs 650mOhm a 1,5A, 15V