Name: IMBG120R090M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R090M1HXTMA1TR-ND
Price: 8.6961 EUR
Availability: InStock

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IMBG120R090M1HXTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IMBG120R090M1HXTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IMBG120R090M1HXTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IMBG120R090M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IMBG120R090M1HXTMA1
Descrição	SICFET N-CH 1200V 26A TO263
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 26A (Tc) 136W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-12
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IMBG120R090M1HXTMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolSiC™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	26A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	125mOhm a 8,5A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	5,7V a 3,7mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	23 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+18V, -15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	763 pF @ 800 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	136W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-7-12
Pacote / Invólucro	TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Número base de produto	IMBG120

Preço unitário sem VAT:	7,07000 €
Preço unitário com VAT:	8,69610 €

IMBG120R090M1HXTMA1