Name: IMBG40R015M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG40R015M2HXTMA1TR-ND
Price: 13.2225 EUR
Availability: InStock

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IMBG40R015M2HXTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IMBG40R015M2HXTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IMBG40R015M2HXTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IMBG40R015M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IMBG40R015M2HXTMA1
Descrição	SIC-MOS
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 400 V 11,7A (Ta), 111A (Tc) 3,8W (Ta), 341W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-11
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IMBG40R015M2HXTMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolSiC™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	400 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	11,7A (Ta), 111A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	19,1mOhm a 27,1A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	5,6V a 9,7mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	62 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -7V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2730 pF @ 200 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,8W (Ta), 341W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-7-11
Pacote / Invólucro	TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA