
IMBG65R040M2HXTMA1 | |
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Número de produto da DigiKey | 448-IMBG65R040M2HXTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IMBG65R040M2HXTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IMBG65R040M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IMBG65R040M2HXTMA1 |
Descrição | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempo de espera previsto do fabricante | 23 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 49A (Tc) 197W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-12 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 20V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 49mOhm a 22,9A, 18V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5,6V a 4,6mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 28 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +23V, -7V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 997 pF @ 400 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 197W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PG-TO263-7-12 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 7,22000 € | 7,22 € |
| 10 | 4,91800 € | 49,18 € |
| 100 | 3,83870 € | 383,87 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 000 | 3,13620 € | 3 136,20 € |
| Preço unitário sem VAT: | 7,22000 € |
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| Preço unitário com VAT: | 8,88060 € |






