IMSQ120R012M2HHXUMA1
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IMSQ120R012M2HHXUMA1
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMSQ120R012M2HHXUMA1

Número de produto da DigiKey
448-IMSQ120R012M2HHXUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR)
448-IMSQ120R012M2HHXUMA1CT-ND - Fita cortada (CT)
448-IMSQ120R012M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de produto do fabricante
IMSQ120R012M2HHXUMA1
Descrição
SICFET 2N-CH 1200V 121A HDSOP16
Tempo de espera previsto do fabricante
26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 121A (Tc) 758W (Tc) Montagem em superfície PG-HDSOP-16-221
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Infineon Technologies
Séries
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tecnologia
SiCFET (carboneto de silício)
Configuração
2 canais N (meia ponte)
Característica FET
-
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
121A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
12mOhm a 57A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
5,1V a 17,8mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
109nC a 0V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
4050pF a 800V
Potência - Máx.
758W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Pacote / Invólucro
24-BSOP (largura 0,606", 15,40mm), 16 condutores, pad exposto
Invólucro do dispositivo fornecido
PG-HDSOP-16-221
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Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
135,03000 €35,03 €
1029,11100 €291,11 €
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
75023,78360 €17 837,70 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:35,03000 €
Preço unitário com VAT:43,08690 €